芯联集成获得发明专利授权:“一种半导体器件及其制造方法”
2026年02月25日 | 浏览量:74936

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证券之星消息,根据天眼查APP数据显示芯联集成(688469)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种半导体器件及其制造方法”,专利申请号为CN202511318587.5,授权日为2026年2月24日。
专利摘要:本申请提供一种半导体器件及其制造方法,制造方法包括:提供基底,基底上设置有介质层;在介质层上形成掩膜层,对掩膜层进行图案化,定义出预定形成第一沟槽的图案,将刻蚀设备设置为第一模式,对介质层进行刻蚀,形成位于介质层内的第一沟槽;将刻蚀设备切换至第二模式,向刻蚀设备的反应腔室通入碳源,在第一沟槽的侧壁和底部沉积形成碳膜层,在碳膜层上形成内凹槽,内凹槽的横向尺寸小于第一沟槽的横向尺寸;将刻蚀设备切至第一模式,以碳膜层为掩膜,刻蚀位于内凹槽底部以下的碳膜层和介质层,形成通孔;去除剩余的碳膜层。在本申请实施例中只需要一次掩膜,一次刻蚀制程便可形成双大马士革结构,简化了生产流程和生产周期,降低生产成本。

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今年以来芯联集成新获得专利授权5个,较去年同期减少了37.5%。结合公司2025年中报财务数据,2025上半年公司在研发方面投入了9.64亿元,同比增10.93%。
通过天眼查大数据分析,芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业,参与招投标项目1737次;财产线索方面有商标信息16条,专利信息797条,著作权信息3条;此外企业还拥有行政许可43个。
数据来源:天眼查APP
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