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晶合集成获得发明专利授权:“半导体结构、半导体结构的制造方法以及CMOS器件”
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证券之星消息,根据天眼查APP数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权,专利名为“半导体结构、半导体结构的制造方法以及CMOS器件”,专利申请号为CN202411833439.2,授权日为2025年3月25日。

专利摘要:本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制造方法以及CMOS器件,该半导体结构包括:基底;形成于基底上的金属栅极;其中,金属栅极的表面具有凹槽;凹槽沿金属栅极远离基底的表面向靠近基底的方向延伸;凹槽具有底面侧面;形成于金属栅极远离基底一侧的栅极接触结构;其中,栅极接触结构与凹槽的底面和侧面均相接触。通过本申请实施例,增大了栅极接触结构与金属栅极的接触面积,减小了栅极接触结构与金属栅极之间的接触电阻,提升了CMOS器件的性能。

晶合集成获得发明专利授权:“半导体结构、半导体结构的制造方法以及CMOS器件”
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今年以来晶合集成新获得专利授权75个,较去年同期增加了17.19%。结合公司2024年中报财务数据,2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元,同比增22.27%。

数据来源:天眼查APP

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